拉曼光谱测试结果表明，在GE合成翡翠的链状硅氧骨干中，Si-O键主要以两种基本形式存在，即非桥氧（Si-Onb）和桥氧（Si-Obr）。GE合成翡翠的拉曼光谱中，由Si-Onb伸缩振动致拉曼谱峰主要出现在1039 cm-1处，988 cm-1拉曼谱峰为Obr键-键相互作用所致。由Si-Obr伸缩振动致拉曼谱峰位700 cm-1处，而O-Si-O弯曲振动通常出现在521～524cm-1处。相比之下，天然翡翠与GE合成翡翠的拉曼谱峰的差异特征不明显。

利用光纤微光谱仪（USB2000）在室温条件下，采用反射法对GE合成翡翠的可见吸收光谱进行了测试。结果表明，GE合成翡翠的致色离子主要为Cr3+，从Cr3+的3d3电子组态导出的自由离子谱项为：基谱项 4F，激发谱项为4P、2G、2D等。八面体场中，由基谱项 4F分裂为三个能级，即4A2、4T2、4T1。在可见光区域内，出现两个强而宽的吸收带，即分别由4A2 → 4T2（630nm）；4A2 → 4T1（445nm）能级之间跃迁所致。d电子在4A2 → 4T2和 4A2 → 4T1能级间跃迁过程中，分别吸收1.97和2.79 eV能量，未被吸收的残余能量组合成GE合成翡翠的颜色。与GE合成翡翠的可见吸收光谱不同之处在于，天然翡翠中普遍存在Fe3+以类质同象形式替代Al3+的现象，因而在可见光蓝紫区内，出现由Fe3+外层d电子跃迁6A1 → 4E + 4A1 (4G) 而导致的437nm弱吸收峰，这与EPMA的分析结果相吻合。

在电子束的激发下，GE合成翡翠多发出很强的亮红色光，同时，与晶体生长环境相关的微晶CL结构得以显示。硬玉微晶局部呈平行定向排列或卷曲～微波状构造，由此而区别于天然翡翠。

综上，依据GE合成翡翠表现的内部结构、由其羟基伸缩振动致一组特征的红外吸收谱带、贫铁富铬的可见吸收光谱及CL发光特征，有助于鉴别之。