红外吸收光谱测试结果表明，GE合成翡翠显示一组（3373、3470、3614 cm-1）与天然翡翠截然不同，且由羟基伸缩振动致红外吸收谱带。由此证实，GE合成翡翠内存在微量的水分子，是在高温高压和水的参与下结晶而成。据此可作为鉴别GE合成翡翠的重要证据。表明，GE合成翡翠中由νas（Si-O-Si）反对称伸缩振动致红外吸收强谱带主要出现在1089 cm-1处，位1154cm-1处仅显示弱肩峰。反之天然翡翠中，由于钙、镁等杂质元素不等量替代铝，易导致νas（Si-O-Si）反对称伸缩振动致红外吸收谱带漂移；由1014、946、870 cm-1组成的一组红外吸收谱带为νas（O-Si-O）反对称伸缩振动所致；由νs（Si-O-Si）对称伸缩振动致红外吸收谱带仅出现在752、670 cm-1 处；由δ（Si-O）弯曲振动致红外吸收