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拉曼光谱测试结果表明,在GE合成翡翠的链状硅氧骨干中,Si-O键主要以两种基本形式存在,即非桥氧(Si-Onb)和桥氧(Si-Obr)。GE合成翡翠的拉曼光谱中,由Si-Onb伸缩振动致拉曼谱峰主要出现在1039 cm-1处,988 cm-1拉曼谱峰为Obr键-键相互作用所致。由Si-Obr伸缩振动致拉曼谱峰位700 cm-1处,而O-Si-O弯曲振动通常出现在521~524cm-1处。相比之下,天然翡翠与GE合成翡翠的拉曼谱峰的差异特征不明显。
利用光纤微光谱仪(USB2000)在室温条件下,采用反射法对GE合成翡翠的可见吸收光谱进行了测试。结果表明,GE合成翡翠的致色离子主要为Cr3+,从Cr3+的3d3电子组态导出的自由离子谱项为:基谱项 4F,激发谱项为4P、2G、2D等。八面体场中,由基谱项 4F分裂为三个能级,即4A2、